دانلود مقاله تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی

این فایل در قالب Word قابل ویرایش، آماده پرینت و ارائه به عنوان پروژه پایانی می باشد

قالب: Word

تعداد صفحات: 38

توضیحات:

تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی

چکیده: این مقاله مربوط به عملکرد لوله‌های نانوکربنی ترانزیستور اثر فیلد (CNTFET) در حضور CNTهای غیر رسوبی به عنوان نقص می‌باشد. یک تجزیه و تحلیل مبتنی بر شبیه‌سازی تنزل تأخیر به دلیل ویژگی‌های مختلف (مانند کایرالیتی و توزیع CNT معیوب) از ابتدا دنبال شده است. دو راه حل برای کاهش تغییر در تأخیر ارائه شده است. این روش­ها بر تنظیم عرض دروازه CNTFET توسط لیتوگرافی (و از بین بردن CNTها) به عنوان بخشی از فرآیند ساخت استوار شده است. این دو روش، تأخیر متوسط و انحراف آن را به ترتیب، کاهش می‌دهد. سپس، تجزیه و تحلیل تأخیر در قالب احتمالات ارائه شد. عملکرد دو روش تنظیم پیشنهادی توسط ویژگی‌های CNT (مانند کایرالیتی و توزیع نقص)، شبیه‌سازی و روش‌های مبتنی بر احتمالات، مورد بررسی قرار گرفته است. توسط شبیه‌سازی قطعی (احتمالاتی)، اولین روش، به طور متوسط تأخیر را در حدود 6.968% (7.811%) کاهش می‌دهد؛ در حالی که انحراف، در حدود 32.444% (9.788%) افزایش (کاهش) می‌یابد. روش دوم، قطعی (احتمالاتی) به طور متوسط، انحراف را در حدود 44.159% (47.476%) با 2.166% (4.409%) کاهش تأخیر، می‌کاهد.

کلمات کلیدی: مدل‌سازی نقص. CNT.CNTFET. تولید. تکنولوژی‌های نوظهور